Corsair MP600 Pro NH NVMe SSD, PCIe 4.0 M.2 Typ 2280 – 2 TB

PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD mit 2 TB Kapazität Extrem schnelle 7.000 beim Lesen und 5.700 MB/s beim Schreiben Insgesamt 1,1 Mio / 1,2 Mio IOPS 4KB Random Read / Write Phison PS2018-E18 Controller & 3D-TLC-NAND Garantiertes Schreibvolumen von 1.400 TBW NVMe-SSD für den M.2-Slot mit extrem schnellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten Mit der MP600 Pro NH richtet sich Corsair an professionelle Anwender und Enthusiasten. Die NVMe-SSD mit PCIe-4.0-Standard erreicht extrem hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten. Der Phison-Controller der NVMe-SSD unterstützt den PCIe-4.0-Standard, welcher eine theoretische Datenübertragungsgeschwindigkeit von 7.800 MB/s unterstützt. Die MP600 Pro NH erreicht mit einer Lesegeschwindigkeit von 7.000 MB/s bereits nahezu die Grenzen des Möglichen. Auch die extreme Schreibgeschwindigkeit von bis zu 5.700 MB/s überzeugt gleichermaßen. Mit der 3D-TLC-NAND Speichertechnologie werden die einzelnen Speicherchips der SSD platzsparend angeordnet gestapelt. Die Wirksamkeit dieser effizienten Technologie spiegelt sich für den Verbraucher vor allem in einer hohen Performance und Haltbarkeit wider. Die Corsair MP600 Pro NH weist eine TBW (Schreib-/Löschzyklen) von 1.400 TB auf. Das bedeutet, dass sie auch über viele Jahre hinweg kompromisslos und zuverlässig ihre Arbeit verrichtet. Die IOPS-Werte (Input/Output Operations per Second) illustrieren, wie viele Ein- und Ausgabebefehle eine SSD pro Sekunde durchführen kann. Auch hier weist die Corsair MP600 Pro NH mit 1,1 Mio im 4KB-Read und 1,2 Mio im 4KB-Write hervorragende Werte auf. Die SSD unterstützt das NVM-Express-Protokoll (kurz NVMe), welches sich in besonders niedrigen Latenzen sowie hoher Lese- und Schreibgeschwindigkeiten niederschlägt. Technische Details: Maße: 80 x 22 x 3 mm (B x H x T) Gewicht: 8,2 g Format & Schnittstelle: M.2/M-Key 2280 (PCIe 4.0 x4 / NVMe) Kapazität: 2 TB Controller: Phison PS2018-E18 NAND: 3D-TLC (Multi-Level-Cell) Verschlüsselung: AES 256-bit Leistung (PCIe 4.0): Lesen: max. 7.000 MB/s Schreiben: max. 5.700 MB/s IOPS (4KB Random Read): 1,1 Mio IOPS (4KB Random Write): 1,2 Mio Stromverbrauch (Lesen / Schreiben): 10,5 W / 10,5 W Garantiertes Schreibvolumen (TBW): 1.400 TBW Einsatz-Temperatur: 0 bis 70 °C Schockresistenz: bis 1.500 G MTBF: 1.600.000 Stunden