GIGABYTE AORUS NVMe SSD, PCIe 4.0 M.2 Typ 2280 – 2 TB

Der neue PCIe-Standard 4.0 wurde mit der Veröffentlichung der AMD-CPUs Ryzen 3xxx und den Mainboards mit dem Chipsatz X570 eingeführt. Damit verdoppelt sich die Übertragungsgeschwindigkeit eines PCI-Lanes im Vergleich zu PCI Express 3.0. Davon profitieren vor allem NVMe-M.2-SSDs, die mit vier Lanes direkt an die neuen Ryzen-CPUs angebunden sind. Theoretisch sind jetzt Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 8 GBit/s möglich. GIGABYTE hat als einer der ersten Hersteller die neuen AORUS NVMe Gen4 SSDs im Angebot, die den neuen PCIe-Standard nutzen können, was sich besonders bei der Schreibgeschwindigkeit niederschlägt, die hier bei maximalen 4.400 MB/s liegt. Auch in PCIe-3.0-Systemen laufen die neuen NVMe-M.2-SSDs von GIGABYTE schneller als seine Vorgänger. Die Features der AORUS NVMe Gen4 SSD 2TB im Überblick: Moderne M.2 NVMe-PCIe-SSD mit PCI-Express-4.0-Standard und NVMe 1.3 Speicherkapazität von zwei Terabyte, zwei GIGABYTE DDR4-Speicher Neuer Controller Phison PS5016-E16 und BiCS4-TLC-NAND von Toshiba Maximale Lesegeschwindigkeit von 5.000 MB/s und Schreibgeschwindigkeit von 4.400 MB/s Maximale IOPS lesend: 750 K und schreibend: 700K Inklusive Heatspreader aus Kupfer Abwärtskompatibel mit PCIe 3.0 MTBF: 1,7 Millionen Stunden, Herstellergarantie: 5 Jahre oder 3.600 TBW (TB Written) M.2-NVMe-PCIe-4.0-SSD mit brachialer Lese- und Schreibgeschwindigkeit Der neue Controller PS5016-E16 von Phison dieses hyperschnellen Laufwerks unterstützt vier PCI-Express-Lanes des neuen Standards 4.0 , die ein theoretisches Maximum von etwa 8.000 MB/s möglich machen! Intern ist der Controller mit acht Lanes an den Flash-Speicher angebunden. In Verbindung mit dem verbauten BiCS4-TLC-NAND von Toshiba erreicht diese 2-TB-Variante der AORUS NVMe Gen4 SSD von GIGABYTE enorme 5.000 MB/s beim Lesen und sagenhafte 4.400 MB/s beim Schreiben sowie fantastische IOPS-Werte von 750.000 im 4KB-Read beziehungsweise 700.000 im 4KB-Write . Hinzu kommen zwei GB Onboard-DDR4-Cache. Selbst auf PCIe-3.0-Systemen ist dieser M.2-NMVe-Speicherriegel noch schneller als M.2 NVMe-PCIe-3.0-SSDs. Hocheffizienter 3D TLC NAND mit 96 Layern Beim BiCS4-TCL-NAND-Speicher der AORUS NVMe Gen4 SSD sind die Speicherzellen zylinderförmig in mehreren Lagen übereinandergestapelt. Dadurch sind zum einen größere Speichermengen mit höherer Lese- und Schreibgeschwindigkeit bei kleinerer Fläche der Speicherblocks möglich, zum anderen werden die Lebensdauer des Speichers erhöht und die Energieeffizienz verbessert. Im Vergleich zur Vorgängerserien verfügen die AORUS NVMe Gen4 SSD s über 96 statt 64 Schichten und sind somit selbst bei dieser 2-TB-Gesamtkapazität nur auf einer Seite bestückt, wodurch sie eine gesteigerte Kompatibilität besitzen und in vielen Notebooks verbaut werden können. Inklusive Heatspreader aus massivem Kupfer Der AORUS NVMe Gen4 SSD legt GIGABYTE einen massiven Heatspreader aus Kupfer bei, der montiert werden kann, wenn etwa das Mainboard nicht über eigene Kühlungsoptionen für M.2-SSDs verfügt. Insgesamt 27 Fins vergrößern die Oberfläche, um Wärme effizienter abzugeben, egal ob der Airflow senkrecht oder waagerecht oder diagonal durch das Case strömt. Dies verbessert die Nutzerfahrung vor allem beim Übertragen von großen Dateien oder der Nutzung von Anwendungen mit hoher Schreiblast. Der PS5016-E16-Controller unterstützt das aktuelle NVMe-1.3-Protokoll, LDPC-Fehlerkorrektur, Wear Leveling und Over-Provisioning, um die Lebensdauer zu erhöhen. Damit kann GIGABYTE ein MTBF (Mean Time Before Failure) von mindestens 1,7 Millionen Stunden garantieren und eine Gewährleistung von 5 Jahren oder 3.600 TBW bieten. Technische Details: Maße mit Heatspreader: 23,5 x 11,4 x 80,5 mm (B x H x T) Ohne Heatspreader: 22 x 2,38 x 80 mm (B x H x T) Format und Schnittstelle: M.2/M-Key 2280 (PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3) Gewicht: 8 g Kapazität: 2 TB Cache: 2 GB DDR4-RAM Controller: Phison PS5016-E16 NAND: Toshiba BiCS4-TLC-NAND Leistung (PCIe 4.0): Lesen: max. 5.000 MB/s Schreiben: max. 4.400 MB/s IOPS (4KB Random Read, QD32): 750.000 IOPS (4KB Random Write, QD32): 700.000 Stromverbrauch (Idle / Lesen / Schreiben): 0,021 / 6,5 / 6,6 W Kompatibilität (Features): NVMe 1.3, TRIM, S.M.A.R.T., 256bit AES, TCG/Opal, IEEE 1667 (Encrypted Drive), Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard, DevSlp, LDPC-Fehlerkorrektur, Wear Leveling und Over-Provisioning Durchschnittliche Lebenserwartung: 1,7 Mio. h Garantiertes Schreibvolumen (TBW): 3.600 Terabyte (so lange 5 Jahre Herstellergarantie) Einsatz-Temperatur: 0 bis 70 °C