Schnelle M.2-SSD mit PCI-Express-4.0-Standard und NVMe 2.0 Kapazität von 1 TB, 1 GB DDR4-Cache Optimierter Controller Samsung Pascal Maximale Lesegeschwindigkeit von 7.450 MB/s Maximale Schreibgeschwindigkeit von 6.900 MB/s Maximale IOPS lesend: 1,2 Mio, und schreibend: 1,55 Mio. MTBF: 1,5 Millionen Stunden, Herstellergarantie: 5 Jahre oder 600 TBW (TB Written) M.2-NVMe-PCIe-4.0-SSD mit brachialer Lese- und Schreibgeschwindigkeit In Verbindung mit dem verbauten 3D-NAND MLC von Samsung erreicht die 1 TB SSD der 990 PRO -Serie von Samsung enorme 7.450 MB/s beim Lesen und 6.900 MB/s beim Schreiben sowie fantastische IOPS-Werte von 1.200.000 im 4KB-Read beziehungsweise 1.550.000 im 4KB-Write . Hinzu kommt 1 GB Onboard-DDR4-Cache. Selbst auf PCIe-3.0-Systemen ist dieser M.2-NMVe-Speicherriegel noch schneller als M.2 NVMe-PCIe-3.0-SSDs. Der Controller Pascal von Samsung unterstützt vier PCI-Express-Lanes des Standards 4.0 , die ein theoretisches Maximum von etwa 8.000 MB/s möglich machen! Intern ist der Controller mit acht Lanes an den Flash-Speicher angebunden. Dank dieser Eigenschaften ist die SSD auch mit der Playstation 5 kompatibel . Hocheffizienter V-NAND 3-Bit MLC mit 176 Layern Beim NAND-Speicher der 990 PRO sind die Speicherzellen in mehreren Lagen übereinandergestapelt. Dadurch sind zum einen größere Speichermengen mit höherer Lese- und Schreibgeschwindigkeit bei kleinerer Fläche der Speicherblocks möglich, zum anderen werden die Lebensdauer des Speichers erhöht und die Energieeffizienz verbessert. Bei der 990 PRO mit 1 TB Gesamtkapazität sind die Speicher nur auf einer Seite bestückt und mit einem effizienten Heatspreader versehen, wodurch sie eine gesteigerte Kompatibilität besitzen und in vielen Notebooks verbaut werden können. Der Pascal-Controller unterstützt das zukunftsträchtige NVMe-2.0-Protokoll, LDPC-Fehlerkorrektur, Wear Levelling und Over-Provisioning, um die Lebensdauer zu erhöhen. Damit kann Samsung ein MTBF (Mean Time Before Failure) von mindestens 1,5 Millionen Stunden garantieren und eine Gewährleistung von 5 Jahren oder 600 TBW bieten. Technische Details: Maße: 22 x 2,3 x 80 mm (B x H x T) Format und Schnittstelle: M.2/M-Key 2280 (PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0) Kapazität: 1 TB Cache: 1 GB (DDR4 SCRAM) Controller: Samsung Pascal NAND: V-NAND 3-Bit MLC, Samsung, 176 Layer Leistung (PCIe 4.0): Lesen: max. 7.450 MB/s Schreiben: max. 6.900 MB/s IOPS (4KB Random Read, QD32): 1.200.000 IOPS (4KB Random Write, QD32): 1.550.000 Stromverbrauch (Maximal / Betrieb / Leerlauf): 7,8 / 5,4 / 0,05 W Kompatibilität (Features): NVMe 2.0, TRIM, S.M.A.R.T., 256 Bit AES, TCG/Opal 2.0, IEEE 1667 (Encrypted Drive), Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard, DevSlp, LDPC-Fehlerkorrektur, Wear Leveling und Over-Provisioning Durchschnittliche Lebenserwartung: 1,5 Mio. Stunden Garantiertes Schreibvolumen (TBW): 600 Terabyte Einsatz-Temperatur: 0 bis 70 °C
Beschreibung
Zusätzliche Informationen
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