Mit der MP510 -Serie richtet sich Corsair an Enthusiasten und professionelle Anwender, die extrem hohe Datenübertragungsgeschwindigkeiten zu schätzen wissen. Die NVMe-SSDs mit dem PCIe-3.0-Standard bietet hochwertige 3D-TLC-NAND-Speicherzellen von Toshiba und bietet eine hohe Dauerleistung. Die Corsair Force Series MP510 NVMe PCIe Gen3 x4 M.2 SSD im Überblick: NVMe-SSD mit PCIe-3.0-x4-Schnittstelle Extreme schnelle 3480 MB/s Lesen und 2000 MB/s Schreiben Insgesamt 360.000 / 440.000 IOPS 4KB Random Read / Write Phisons PS5012-E12-Controller & 3D-TLC-NAND Garantiertes Schreibvolumen: 800 TBW M.2-NVMe-PCIe-SSD mit ausgezeichneten Lese- und Schreibgeschwindigkeiten Der Phison-Controller dieses hyperschnellen Laufwerks unterstützt vier PCI-Express-Lanes des Standards 3.0, die ein theoretisches Maximum von etwa 3.900 MB/s möglich machen! In Verbindung mit dem verbauten 3D-TLC-NAND erreicht die 240-GB-Variante der Corsair Force Series MP510 enorme 3480 MB/s beim Lesen und 2000 MB/s beim Schreiben sowie fantastische IOPS-Werte von 360.000 im 4KB-Read bzw. 440.000 im 4KB-Write. Unterstützung für das NVM-Express-Protokoll für PCIe-SSDs Zudem unterstützt diese Corsair Force Series MP510 auch noch das NVM-Express-Protokoll (kurz NVMe), das speziell für moderne PCI-Express-SSDs entwickelt worden ist. Damit wird das alte AHCI-Protokoll ersetzt, welches noch aus der Zeit vor der allgemeinen Verbreitung von SSDs stammt und nicht auf hochparallelisierte Datenträgerzugriffe optimiert ist. NVMe sorgt so für deutlich niedrigere Latenzen sowie mehrere und tiefere Befehlswarteschlangen, die sich in deutlich mehr Leistung bei nichtlinearen Transfers wie 4K-Lesen/Schreiben niederschlagen. Technische Details: Maße: 22 x 3 x 80 mm (B x H x T) Schnittstelle: M.2/M-Key 2280 (PCIe 3.0 x4 / NVMe) Kapazität: 480 GB Controller: PS5012-E12 NAND: 3D-TLC (Multi-Level-Cell) Leistung (PCIe 3.0): Lesen: max. 3480 MB/s Schreiben: max. 2000 MB/s IOPS (4KB Random Read): 360.000 IOPS (4KB Random Write): 440.000 Stromverbrauch (Leerlauf / Betrieb): 0,3 / 6,7 W Garantiertes Schreibvolumen (TBW): 800 TBW Mittlere Lebenszeit (MTBF): 1,8 Mio. h Einsatz-Temperatur: 0 bis 70 °C Schockresistenz: bis 1.500 G Herstellergarantie: 5 Jahre
Beschreibung
Zusätzliche Informationen
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